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参数资料
| 型号： | NTTD1P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.45A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTD1P02R2GOS |
NTTD1P02R2
2
3 ? 2.7 V
? 2.9 V
? 3.1 V
? 3.3 V
? 3.7 V
? 4.5 V
? 2.5 V
? 2.3 V
? 2.1 V
T J = 25 ° C
3
2
V DS ≥ ? 10 V
? 8 V
1
? 1.9 V
? 1.7 V
1
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
V GS = ? 1.5 V
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0.4
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.3
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.3
I D = ? 1.45 A
T J = 25 ° C
0.2
V GS = ? 2.5 V
0.2
0.1
0.1
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 4.5 V
0
0
2
4
6
8
10
12
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? to ? Source Voltage
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 1.45 A
V GS = ? 4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1.2
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0 25
50
75
100
125
150
1
4
8 12 16
20
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN |
| NTTFS4823NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN |
| NTTFS4824NTWG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTTD2P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts |
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| NTTD4401FR2 | 功能描述:MOSFET -20V -3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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