- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTTD1P02R2G (ON Semiconductor)MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTTD1P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.45A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTD1P02R2GOS |
NTTD1P02R2
800
600
C iss
C rss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
3
QT
? V GS
20
18
16
14
12
400
Q1
Q2
10
200
0
10
5
0
5
10
15
C iss
C oss
C rss
20
2
1
0
0
1
2
? V DS
3
4
I D = ? 1.45 A
T J = 25 ° C
5
6
8
6
4
2
0
100
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
V DD = ? 16 V
I D = ? 1.45 A
V GS = ? 4.5 V
1.6
1.2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d (off)
t f
t d (on)
0.8
0.4
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
? V SD, SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage
versus Current
100
10
1
V GS = 8 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 ms
I S
di/dt
t a
t rr
t b
TIME
t p
0.25 I S
0.1
0.01
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT dc
PACKAGE LIMIT
1 10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
100
I S
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTFS4800NTAG | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN |
| NTTFS4823NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN |
| NTTFS4824NTWG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTD2P02R2 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.4A I(D) | TSSOP |
| NTTD2P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts |
| NTTD4401F | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTTD4401F_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode |
| NTTD4401FR2 | 功能描述:MOSFET -20V -3.3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。