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参数资料
| 型号： | NTTFS5826NLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS5826NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
60
58.6
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.0
10
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 4)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.5
5.6
3.0
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V
I D = 7.5 A
19
24
m W
V GS = 4.5 V
I D = 7.5 A
25
32
Forward Transconductance
g FS
V DS = 15 V, I D = 5.0 A
8
S
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C iss
850
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = 25 V
85
50
Total Gate Charge
Q G(TOT)
8.4
nC
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 48 V,
I D = 5.0 A
1.0
2.5
3.9
Total Gate Charge
Gate Resistance
Q G(TOT)
R G
V GS = 10 V, V DS = 48V, I D = 5.0A
T A = 25 ° C
16
1.5
25
nC
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 5)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
9.0
18
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 48 V,
I D = 5.0 A, R G = 2.5 W
15
14
5.4
28
25
12
Turn ? On Delay Time
t d(on)
7.0
12
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 10 V, V DS = 48 V,
I D = 5.0 A, R G = 2.5 W
10
17
3.5
20
30
6.0
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 7.5 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.8
0.7
2.3
V
Reverse Recovery Time
t RR
15
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d IS /d t = 100 A/ m s,
I S = 5.0 A
12
4
Reverse Recovery Charge
Q RR
13
nC
4. Pulse Test: pulse width = 300 m s, duty cycle v 2%.
5. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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