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参数资料
| 型号： | NTTFS5826NLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS5826NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
C iss
V DS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
800
600
6
400
4
Q gs
Q gd
200
0
0
C rss
10
20
C oss
30
40
50
60
2
0
0
4
8
V DS = 48 V
I D = 5 A
T J = 25 ° C
12
16
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
100
V DD = 48 V
I D = 5 A
V GS = 4.5 V
40
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(off)
t d(on)
20
t f
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100 m s
T C = 25 ° C
1000
100
10
1
V GS = 10 V
Single Pulse
1 ms
10 ms
dc
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 m s
20
15
10
5
I D = 20 A
Package Limit
0.1
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3129PT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFSC4821NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTTFSC4823NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 50A 17.5MOHM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTTS2P02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTS2P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts |
| NTTS2P02R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts |
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