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参数资料
| 型号： | NTTFS5826NLTWG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTTFS5826NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
V GS =
10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 3.8 V
T J = 25 ° C
40
V DS ≥ 10 V
30
20
V GS = 3.6 V
30
20
10
V GS = 3.2 V
V GS = 2.8 V
10
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1 2 3 4
5
0
1
2 3 4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.040
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.055
0.045
I D = 7.5 A
T J = 25 ° C
0.030
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.035
0.025
0.020
V GS = 10 V
0.015
2
4
6
8
10
0.010
5
10
15
20
25
30
35
40
2.10
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.90
1.70
1.50
1.30
1.10
0.90
0.70
I D = 7.5 A
V GS = 4.5 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.50
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3129PT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFSC4821NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTTFSC4823NTAG | 功能描述:IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 50A 17.5MOHM RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTTS2P02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTS2P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts |
| NTTS2P02R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts |
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