- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTTS2P02R2 (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTTS2P02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 780mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTS2P02R2OS |
NTTS2P02R2
4
3
V GS = ? 2.1 V
V GS = ? 10 V
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 1.9 V
T J = 25 ° C
5
4
V DS > = 10 V
3
2
1
V GS = ? 1.7 V
2
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.5 V
1
T J = 100 ° C
T J = 55 ° C
0
0
2
4
6
8
10
0
1
1.5
2
2.5
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics.
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics.
0.2
0.15
0.1
T J = 25 ° C
0.12
0.1
0.08
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.7 V
V GS = ? 4.5 V
0.05
0.06
0
2
4
6
8
0.04
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage.
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage.
1.6
1.4
1.2
I D = ? 2.4 A
V GS = ? 4.5 V
1000
100
10
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
1
0.8
1
0.1
0.6
? 50
? 25
0 25
50
75
100
125
150
0.01
0
4 8 12 16
20
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature.
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
| NTUD3127CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3129PT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3169CZT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTS2P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps， -20 Volts |
| NTTS2P02R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.4 Amps, -20 Volts |
| NTTS2P02R2G | 功能描述:MOSFET 20V 2.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTS2P03R2 | 功能描述:MOSFET -30V -2.48A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTS2P03R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps， -30 Volts |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。