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参数资料
| 型号： | NTY100N10G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 123A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10110pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 313W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
NTY100N10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0, I D = 250 m A)
(Positive Temperature Coefficient)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = 100 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = 100 Vdc, T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = $ 20 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
100
?
?
?
?
?
144
?
?
?
?
?
10
100
100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
(Negative Temperature Coefficient)
Static Drain ? Source On ? State Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 50 Adc)
(V GS = 10 Vdc, I D = 50 Adc, 150 ° C)
Drain ? Source On ? Voltage (V GS = 10 Vdc, I D = 100 Adc)
Forward Transconductance (V DS = 6 Vdc, I D = 50 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
V DS(on)
g FS
2.0
?
?
?
?
?
3.1
10.6
0.009
0.019
0.8
73
4.0
?
0.010
0.021
1.0
?
Vdc
mV/ ° C
W
Vdc
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
7225
10110
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 25 Vdc, V GS = 0 Vdc, f = 1 MHz)
C oss
C rss
?
?
1800
270
2540
540
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 2, 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
30
55
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 50 Vdc, I D = 100 Adc,
V GS = 10 Vdc, R G = 9.1 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
150
340
250
265
595
435
Total Gate Charge
Q T
?
200
350
nC
Gate ? Source Charge
(V DS = 80 Vdc, I D = 100 Adc,
V GS = 10 Vdc)
Q 1
Q 2
Q 3
?
?
?
40
100
86
?
?
?
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Note 2)
Forward On ? Voltage
(I S = 100 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 100 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 150 ° C)
Reverse Recovery Time
(I S = 100 Adc, V GS = 0 Vdc, dI S /dt = 100 A/ m s)
Reverse Recovery Stored Charge
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
1.02
0.94
210
155
55
1.08
1.1
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
2. Indicates Pulse Test: Pulse Width v 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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