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参数资料
| 型号： | NTY100N10G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 123A TO-264 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 123A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10110pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 313W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
NTY100N10
20000
16000
V DS = 0
C iss
V GS = 0
T J = 25 ° C
12000
C rss
8000
4000
C iss
C oss
0
10
5
0
5
10
15
20
25
V gs
V ds
Figure 7. Capacitance Variation
10
Q T
100
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
V DS
Q1
Q3
V GS
Q2
I DS =100 A
T J = 25 ° C
50 100 150
80
60
40
20
0
200
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage versus Total Charge
10000
1000
V DD = 50 V
I D = 100 A
V GS = 10 V
100
80
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t f
t d(on)
t d(off)
t r
60
40
20
1.0
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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PDF描述 |
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