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参数资料
| 型号： | NVB25P06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTB25P06, NVB25P06
50
45
40
V GS = ? 10 V
? 9 V
? 8 V
T J = 25 ° C
? 7 V
50
40
V DS ≥ 10 V
T J = 25 ° C
35
30
25
20
? 6 V
? 5.5 V
30
20
T J = ? 55 ° C
T J = 125 ° C
15
? 5 V
10
5
? 4.5 V
? 4.2 V
10
0
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.2
V GS = ? 10 V
0.095
T J = 25 ° C
0.15
T J = 125 ° C
0.085
0.1
T J = 25 ° C
V GS = ? 10 V
0.05
T J = ? 55 ° C
0.075
V GS = ? 15 V
0
0
10
20
30
40
50
0.065
10
20
30
40
50
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.75
1.5
I D = ? 25 A
V GS = ? 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.25
1
0.75
100
T J = 125 ° C
0.5
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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