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参数资料
| 型号： | NVB25P06T4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 82 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTB25P06, NVB25P06
3000
2500
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
V DS
Q T
2000
Q 1
Q 2
V GS
1500
1000
C rss
C iss
6
4
500
C rss
C oss
2
I D = ? 25 A
T J = 25 ° C
0
10
5 ? V GS 0 ? V DS 5
10
15
20
25
0
0
4
10
15
20
25
30
35
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
t r
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t d(off)
15
10
t d(on)
10
1
1
10
V DD = ? 30 V
I D = ? 25 A
V GS = ? 10 V
100
5
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
V GS = ? 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
600
500
I D = ? 25 A
400
10
dc
10 ms
1 ms
300
200
25
1
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
100 m s
10
100
100
0
50
75
100
125
150
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| NVD5117PLT4G | MOSFET P-CH 60V 61A DPAK |
| NVD5803NT4G | MOSFET N-CH 40V 85A DPAK |
| NVD5807NT4G | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NVB5405NT4G | 功能描述:MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVB5426N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 120 Amps, 60 Volts N-Channel D2PAK, TO-220 |
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