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参数资料
| 型号： | NVD5803NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 85A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5803N
TYPICAL CHARACTERISTICS
160
160
140
10 V
T J = 25 ° C
V GS = 5 V
140
V DS ≥ 10 V
120
100
80
4.8 V
4.6 V
4.4 V
120
100
80
60
40
4.2 V
4.0 V
60
40
T J = 25 ° C
20
3.8 V
20
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
3.6 V
5
0
2
3
4
5
6
0.010
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
I D = 50 A
T J = 25 ° C
0.008
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.008
0.006
0.007
0.006
0.005
V GS = 5 V
V GS = 10 V
0.004
2
4
6
8
10
0.004
5
20
35
50
65
80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
I D = 50 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.7
? 55 ? 35 ? 15
5
25
45
65
85 105 125 145 165
100
5
10
15
20
25
30
35
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NVD5862NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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