- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NVD5803NT4G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NVD5803NT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 85A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 85A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5803N
TYPICAL CHARACTERISTICS
4000
3500
3000
2500
2000
1500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
12
9
6
Q gs
V DS
Q gd
QT
V GS
I D = 50 A
T J = 25 ° C
30
24
18
12
1000
500
C oss
3
6
0
0
C rss
10
20
30
40
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
55
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
80
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 32 V
I D = 85 A
V GS = 10 V
t d(off)
70
60
50
40
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t f
t d(on)
30
20
10
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
250
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
1
0.1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
200
150
100
50
0
I D = 85 A
0.1
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAISN VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVD5807NT4G | MOSFET N-CH 40V 23A DPAK |
| NVD5862NT4G | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4 |
| NVD5863NLT4G | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 |
| NVD5865NLT4G | MOSFET N CH 60V DPAK-4 |
| NVD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVD5805N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N.Channel, DPAK |
| NVD5805NT4G | 功能描述:MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
| NVD5806NT4G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5807NT4G | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5862NT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。