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参数资料
| 型号： | NVD5863NLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.1 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5863NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
175
150
V GS = 10 V
5V
T J = 25 ° C
4.8 V
4.5 V
200
175
150
V DS ≥ 10 V
125
100
4.2 V
125
100
75
50
3.9 V
3.6 V
75
50
T J = 25 ° C
25
0
0
1
2
3
4
3.3 V
5
25
0
2
T J = 125 ° C
3
T J = ? 55 ° C
4
5
0.030
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.010
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.025
0.020
I D = 41 A
T J = 25 ° C
0.009
0.008
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.015
0.007
0.010
0.005
0.006
0.005
V GS = 10 V
0.000
3
4
5
6
7
8
9
10
0.004
10
20
30
40
50
60
70
80
2.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 41 A
V GS = 4.5 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150 175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVD5865NLT4G | MOSFET N CH 60V DPAK-4 |
| NVD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4 |
| NVD5890NT4G | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK |
| NVD6415ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 |
| NVF2955PT1G | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVD5865NLT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5867NLT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5890N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 123 A, Single Na??Channel DPAK |
| NVD5890NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK |
| NVD5890NLT4G | 功能描述:MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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