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参数资料
| 型号： | NVD5863NLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.1 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3850pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5863NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
5000
4500
4000
3500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
8
7
V DS
Q T
V GS
100
90
80
70
3000
2500
6
5
60
50
2000
1500
4
3
Q GS
Q DS
40
30
1000
500
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
50
60
2
1
0
0
10
20
30
40
50
I D = 82 A
T J = 25 ° C
60
20
10
0
70
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source & Drain ? to ? Source
vs. Total Charge
80
V DD = 48 V
I D = 41 A
V GS = 4.5 V
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t f
t d(off)
t r
t d(on)
50
40
30
20
10
1
1
10
100
0
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
300
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 23 A
250
100
10 m s
200
10
100 m s
150
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
100
50
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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