型号: | NVF2955PT1G |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
标准包装: | 1,000 |
FET 型: | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 185 毫欧 @ 2.4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 14.3nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 492pF @ 25V |
功率 - 最大: | 2.3W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装: | SOT-223 |
包装: | 带卷 (TR) |