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参数资料
| 型号： | NVF2955PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTF2955, NVF2955
100
D = 0.5
0.2
10 0.1
0.05
1
0.1
0.01
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Cu area ? 727 mm 2 , 1 oz. thick traces
10 100 1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NVF3055L108T3G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 3A 0.120R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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