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参数资料
| 型号： | NVF2955PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTF2955, NVF2955
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
8
V GS = ? 10 V to ? 7 V
V GS = ? 6 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 5.5 V
10
8
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
6
4
V GS = ? 5 V
6
4
2
V GS = ? 4.5 V
V GS = ? 3.8 V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
10
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS, GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.4
0.3
0.2
0.1
V GS = ? 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.25
0.225
0.2
0.175
0.15
0.125
0.1
T J = 25 ° C
V GS = ? 10 V
V GS = ? 15 V
0.075
0
0
2
4
6
8
10
0.05
0
2
4
6
8
10
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
2
1.8
1.6
I D = ? 1.5 A
V GS = ? 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
100
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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