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参数资料
| 型号： | NVD5865NLT4G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V DPAK-4 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVD5865NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1200
1000
6
800
600
4
Q gs
Q gd
400
200
0
0
C rss
10
C oss
20
30
40
50
60
2
0
0
5
10
15
20
V DS = 48 V
I D = 38 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
100
V DD = 48 V
I D = 38 A
V GS = 10 V
t d(off)
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t f
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.50 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
T C = 25 ° C
10 ms
100 m s
1 ms
10 m s
10
dc
1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NVD5867NLT4G | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVD5867NLT4G | 功能描述:MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5890N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 123 A, Single Na??Channel DPAK |
| NVD5890NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK |
| NVD5890NLT4G | 功能描述:MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVD5890NT4G | 功能描述:MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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