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参数资料
型号： NVD6415ANLT4G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 5/6页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
标准包装： 2,500
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 23A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 52 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1024pF @ 25V
功率 - 最大： 83W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： D-Pak
包装： 带卷 (TR)
NTD6415ANL, NVD6415ANL
10
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001 0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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参数描述
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NVD6416ANLT4G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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