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参数资料
| 型号： | NX3008CBKV |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 - 30 V, 400 - 220 mA N-P-channel Trench MOSFET |
| 中文描述： | 400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 12/21页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NX3008CBKV |
NX3008CBKV
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 29 July 2011
12 of 21
NXP Semiconductors
NX3008CBKV
30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET
I
D
= 0.4 A; V
DS
= 15 V; T
amb
= 25 °C
Fig 17. TR1: Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values
Fig 18. Gate charge waveform definitions
V
GS
= 0 V
(1) T
j
= 150 °C
(2) T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
Fig 19. TR1: Source current as a function of
source-drain voltage; typical values
Fig 20. TR2: Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
001aao275
Q
G
(nC)
0.0
0.6
0.4
0.2
2
3
1
4
5
V
GS
(V)
0
003aaa508
V
GS
V
GS(th)
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
V
DS
Q
G(tot)
I
D
Q
GS
V
GS(pl)
001aao276
V
SD
(V)
0.0
1.2
0.6
0.4
0.2
0.1
0.3
0.4
I
S
(A)
0.0
(2)
(1)
V
DS
(V)
0
-4
-3
-1
-2
001aao256
-0.10
-0.15
-0.05
-0.20
-0.25
I
D
(A)
0.00
-2 V
-2.5 V
V
GS
= -1.5 V
-4.5 V
-3 V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NX3008NBK,215 | 功能描述:MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NX3008NBKMB,315 | 功能描述:MOSFET N-Chan 30V 530mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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