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参数资料
| 型号： | NX3008CBKV |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 - 30 V, 400 - 220 mA N-P-channel Trench MOSFET |
| 中文描述： | 400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 7/21页 |
| 文件大小： | 1473K |
| 代理商： | NX3008CBKV |
NX3008CBKV
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 29 July 2011
7 of 21
NXP Semiconductors
NX3008CBKV
30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET
FR4 PCB, standard footprint
Fig 7.
TR2, Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
FR4 PCB, mounting pad for drain 1 cm
2
Fig 8.
TR2, Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
017aaa064
t
p
(s)
10
3
10
2
10
3
10
1
10
2
10
1
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2
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3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
duty cycle = 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.25
0.1
0.05
0.02
0.01
0
017aaa065
t
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Z
th(j-a)
(K/W)
1
duty cycle = 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.25
0.1
0.05
0.02
0.01
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| NX3008NBK,215 | 功能描述:MOSFET 30V 400 MA N-CH TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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