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参数资料
| 型号： | OP573 |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN SND REV GULL |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 25° |
| 功率 - 最大： | 130mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，Z形弯曲d |
| 其它名称： | 365-1161-6 |
Silicon Phototransistor
OP570 Series
100%
Relative Response vs.
Angular Position
2.00
Relative On-State Collector Current
vs. Collector-Emitter Voltage
1.80
6 mW/cm 2
80%
1.60
5 mW/cm 2
1.40
4 mW/cm 2
60%
1.20
1.00
3 mW/cm 2
40%
0.80
0.60
2 mW/cm 2
20%
0.40
1 mW/cm 2
0.20
0%
-90
-60
-30
0
30
60
90
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Angular Position (Degrees)
Collector-Emitter Voltage (V)
1000
Collector-Emitter Dark Current
vs. Temperature
Conditions: E e = 0 mW/cm 2
100%
Relative Response vs. Wavelength
V CE = 10V
80%
100
60%
10
40%
1
0
20%
0%
-25
0
25
50
75
100
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Temperature—(°C)
Wavelength (nm)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue 1.2 02/07
Page 4 of 4
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP580DA | PHOTODARLINGTON NPN CLR PLCC-2 |
| OP580 | PHOTOTRANSISTOR NPN SMD PLCC-2 |
| OP598C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP599C | PHOTOTRNS PLSTIC SILCN NPN T13/4 |
| OP600B | PHOTOTRNS SILCN NPN HERMETC PILL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP578/A,025 | 功能描述:MOSFET OP578/UNCASED/JAR//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP579/A,025 | 功能描述:MOSFET OP579/UNCASED/JAR//A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP580 | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP580 | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:Phototransistor |
| OP580/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP580/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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