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参数资料
| 型号： | PESD12VL2BT/S911,2 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.2V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 568-7331-2 934063506215 PESD12VL2BT/S911,2-ND |
NXP Semiconductors
PESDxL2BT series
Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
6. Characteristics
Table 8. Characteristics
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V RWM
reverse standoff voltage
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
5.0
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.0 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
-
-
-
-
-
0.09
0.01
<1
<1
<1
2
1
50
50
50
μ A
μ A
nA
nA
nA
V BR
breakdown voltage
I R = 5 mA
C d
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
diode capacitance
V R = 0 V;
5.8
7.0
14.2
17.1
25.4
6.4
7.6
15.8
18.8
27.8
6.9
8.2
16.7
20.3
30.3
V
V
V
V
V
f = 1 MHz
V CL
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
clamping voltage
[1][2]
-
-
-
-
-
101
75
19
16
11
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
pF
pF
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
I PP = 1 A
I PP = 15 A
I PP = 1 A
I PP = 13 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
26
10
28
20
37
25
44
40
70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
PESDXL2BT_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 25 August 2009
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PDF描述 |
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