- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录240 > PESD12VL2BT/S911,2 (NXP Semiconductors)DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | PESD12VL2BT/S911,2 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.2V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 568-7331-2 934063506215 PESD12VL2BT/S911,2-ND |
NXP Semiconductors
PESDxL2BT series
Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
Table 8. Characteristics …continued
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
r dif
differential resistance
I R = 1 mA
PESD3V3L2BT
PESD5V0L2BT
PESD12VL2BT
PESD15VL2BT
PESD24VL2BT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
400
80
200
225
300
?
?
?
?
?
PESDXL2BT_SER_2
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 1 to 3 or 2 to 3.
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 25 August 2009
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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