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参数资料
| 型号： | PESD12VL2BT/S911,2 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DUAL BI ESD PROT SOT23-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 12V |
| 电压 - 击穿： | 14.2V |
| 功率（瓦特）： | 200W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 568-7331-2 934063506215 PESD12VL2BT/S911,2-ND |
NXP Semiconductors
PESDxL2BT series
Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
10 4
P PP
(W)
10 3
006aaa531
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
(2)
10 2
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
T amb = 25 ° C
(1) PESD3V3L2BT and PESD5V0L2BT
(2) PESD12VL2BT, PESD15VL2BT, PESD24VL2BT
Fig 3.
Peak pulse power as a function of exponential
pulse duration t p ; typical values
Fig 4.
Relative variation of peak pulse power as a
function of junction temperature; typical
values
110
C d
(pF)
100
90
(1)
006aaa067
20
C d
(pF)
16
12
006aaa068
(1)
80
70
8
(2)
(3)
60
50
(2)
4
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
25
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD3V3L2BT
(2) PESD5V0L2BT
V R (V)
T amb = 25 ° C; f = 1 MHz
(1) PESD12VL2BT
(2) PESD15VL2BT
(3) PESD24VL2BT
V R (V)
Fig 5.
Diode capacitance as a function of reverse
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
PESDXL2BT_SER_2
voltage; typical values
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 25 August 2009
7 of 14
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