- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录6161 > PESD3V3S2UAT,215 (NXP Semiconductors)DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PESD3V3S2UAT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 330W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes
in SOT23 package
ORDERING INFORMATION
TYPE NUMBER
PACKAGE
Product data sheet
PESDxS2UAT series
NAME
DESCRIPTION
VERSION
PESD3V3S2UAT
?
plastic surface mounted package; 3 leads
SOT23
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
P pp
peak pulse power
8/20 μ s pulse; notes 1 and 2
I pp
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
peak pulse current
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
8/20 μ s pulse; notes 1 and 2
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
330
260
180
160
160
18
15
5
5
3
W
W
W
W
W
A
A
A
A
A
T j
T amb
T stg
junction temperature
operating ambient temperature
storage temperature
?
? 65
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20μ μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
2. Measured across either pins 1 and 3 or pins 2 and 3.
2004 Feb 18
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RV1206FR-07499KL | RES 499K OHM 1% 1206 TF |
| RV1206FR-072M26L | RES 2.26M OHM 1% 1206 TF |
| PESD3V3L1BA,115 | DIODE ESD PROTECTION SOD323 |
| RV1206FR-071M62L | RES 1.62M OHM 1% 1206 TF |
| RV1206FR-071M3L | RES 1.3M OHM 1% 1206 TF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3S2UQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3.3V; Breakdown Voltage Min:5.2V; Breakdown Voltage Max:6V; Clamping Voltage Vc Max:5.6V; Peak Pulse Current Ippm:15A; Diode Case Style:SOT-663; ;RoHS Compliant: Yes |
| PESD3V3S2UQ,115 | 功能描述:TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD TAPE-7 RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3S2UT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-23 |
| PESD3V3S2UT,215 | 功能描述:TVS二极管阵列 3.3V DUAL ESD PROTCT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3S2UT215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 20V Dual Common Anode SOT-2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。