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参数资料
| 型号： | PESD3V3S2UAT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 330W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes
in SOT23 package
Product data sheet
PESDxS2UAT series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
R diff
differential resistance
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 1 mA
I R = 0.5 mA
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
400
80
200
225
300
?
?
?
?
?
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
2. Measured either across pins 1 and 3 or pins 2 and 3.
GRAPHICAL DATA
10 4
P pp
(W)
10 3
001aaa147
1.2
P PP
P PP(25 ° C)
0.8
001aaa193
(1)
10 2
(2)
0.4
10
1
10
10 2
10 3
t p ( μ s)
10 4
0
0
50
100
150
T j ( ° C)
200
(1) PESD3V3S2UAT and PESD5V0S2UAT.
(2) PESD12VS2UAT, PESD15VS2UAT, PESD24VS2UAT
T amb = 25 ° C.
t p = 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.2.
Fig.5
Relative variation of peak pulse power as a
Fig.4
Peak pulse power dissipation as a function
function of junction temperature; typical
of pulse time; typical values.
2004 Feb 18
6
values.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PESD3V3L1BA,115 | DIODE ESD PROTECTION SOD323 |
| RV1206FR-071M62L | RES 1.62M OHM 1% 1206 TF |
| RV1206FR-071M3L | RES 1.3M OHM 1% 1206 TF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| PESD3V3S2UT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-23 |
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| PESD3V3S2UT215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 20V Dual Common Anode SOT-2 |
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