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参数资料
| 型号： | PESD3V3S2UAT,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE DBL ESD PROTECTION SOT23 |
| 产品培训模块： | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5.2V |
| 功率（瓦特）： | 330W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes
in SOT23 package
ESD maximum ratings
Product data sheet
PESDxS2UAT series
SYMBOL
ESD
PARAMETER
electrostatic discharge
CONDITIONS
IEC 61000-4-2 (contact discharge);
VALUE
UNIT
notes 1 and 2
PESD3V3S2UAT
PESD5V0S2UAT
PESD12VS2UAT
PESD15VS2UAT
PESD24VS2UAT
HBM MIL-Std 883
PESDxS2UAT-series
Notes
1. Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses; see Fig.3.
2. Measured from pin 1, 2, 3, 4, 5 or 8 to pin 6 or 7.
ESD standards compliance
ESD STANDARD
CONDITIONS
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD); see Fig.3
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
HBM MIL-Std 883; class 3
> 4 kV
30
30
30
30
23
10
001aaa191
kV
kV
kV
kV
kV
kV
120
handbook, halfpage
Ipp
(%)
80
100 % Ipp; 8 μ s
e ? t
MLE218
I pp
100 %
90 %
50 % Ipp; 20 μ s
40
10 %
0
0
10
20
30
t ( μ s)
40
t r = 0.7 to 1 ns
30 ns
t
60 ns
Fig.2
8/20 μ s pulse waveform according to
Fig.3
ElectroStatic Discharge (ESD) pulse
IEC 61000-4-5.
2004 Feb 18
4
waveform according to IEC 61000-4-2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RV1206FR-07499KL | RES 499K OHM 1% 1206 TF |
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| PESD3V3L1BA,115 | DIODE ESD PROTECTION SOD323 |
| RV1206FR-071M62L | RES 1.62M OHM 1% 1206 TF |
| RV1206FR-071M3L | RES 1.3M OHM 1% 1206 TF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PESD3V3S2UQ | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS DUAL SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, DUAL, SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3.3V; Breakdown Voltage Min:5.2V; Breakdown Voltage Max:6V; Clamping Voltage Vc Max:5.6V; Peak Pulse Current Ippm:15A; Diode Case Style:SOT-663; ;RoHS Compliant: Yes |
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| PESD3V3S2UT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, TVS, SOT-23 |
| PESD3V3S2UT,215 | 功能描述:TVS二极管阵列 3.3V DUAL ESD PROTCT RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| PESD3V3S2UT215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:ESD DIODE 20V Dual Common Anode SOT-2 |
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