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参数资料
| 型号： | PI5101-00-LGIZ |
| 厂商： | Vicor Corporation |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Picor®, µRDS(on)FET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 5V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 0.45 毫欧 @ 60A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800 mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-FLGA |
| 供应商设备封装： | 3-LGA（4.1x8） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1102-1078-5 |
?
Electrical Characteristics: T A = 25°C unless otherwise Specified
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Symbol
V (BR)DSS
Min
5.0
Typ
Max
Units
V
Test Condition
V GS = 0V, I D = 5mA
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
3.1
Reference to 25°C,
V GS = 0V, I D = 5mA
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Leakage
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source On-State Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Forward Transconductance
I DSS
I GSS
V GS(th)
R DS(on)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
gfs
0.4
0.2
10
360
380
14
4.5
23
3.5
620
2
200
0.8
450
475
μA
nA
V
μΩ
μΩ
ns
ns
ns
ns
S
V DS = 4.8V, V GS = 0V
V GS = 5V, V DS = 0V
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = 4.5V, I D = 60A
V GS = 3.5V, I D = 60A
V GS = 4.5V, I D = 60A
R G = 0.1Ω
I D = 60A, V DS = 4V
Gate Capacitance
Input Capacitance
C iss
7600
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
5200
1100
pF
pF
V DS = 5V, V GS = 0V,
f = 1MHz
Gate Charge
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Resistance
Q g
Q gs
Q gd
R G
65
7.7
9.0
0.1
nC
nC
nC
Ω
V GS = 4.5V,
V DS = 4.4V,
I D = 60A
Reverse Diode
Source-to-Drain Reverse Recovery Time
t rr
300
ns
I S = 16A,
Diode Forward Voltage
Package Inductance
V SD
L DS
0.63
0.1
1.0
V
nH
I S = 16A, V GS = 0V
Picor Corporation ? picorpower.com
PI5101-00-LGIZ
Rev 1.0, Jan 25 th 2010
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PDF描述 |
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参数描述 |
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