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参数资料
| 型号： | PI5101-00-LGIZ |
| 厂商： | Vicor Corporation |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Picor®, µRDS(on)FET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 5V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 0.45 毫欧 @ 60A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800 mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-FLGA |
| 供应商设备封装： | 3-LGA（4.1x8） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1102-1078-5 |
?
Typical Characteristics: T A = 25°C unless otherwise Specified
160
200
140
V GS = 3V, 2V, 1.4V
180
160
=1
120
100
80
60
40
20
V GS
.2 V
V GS = 1.0V
140
120
100
80
60
40
20
T JA = 125°C
25°C
-55°C
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V DS - Drain-to-Source Voltage [V]
Figure 1: Output Characteristics. (Pulsed V GS )
1.4
V GS = 4.5V
V GS - Gate-to-Source [V]
Figure 4: Transfer Characteristics. (Pulsed V GS )
2.0
1.3
I D = 60A
1.5
1.2
1.1
1.0
1.0
0.5
0.9
0.8
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
T J , Junction Temperature [°C]
Figure 2: On-Resistance vs. Junction Temperature
V GS , Gate-to-Source Voltage [V]
Figure 5: On-Resistance vs. Gate Voltage
5
4
3
I D = 60A
9000
8000
7000
C iss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd : while C ds Shorted
C oss
2
1
0
6000
5000
4000
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
4
5
6
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 3: Gate Charge.
V DS , Drain-to-Source Voltage [V]
Figure 6: Gate Capacitance vs. Drain-to Source Voltage.
Picor Corporation ? picorpower.com
PI5101-00-LGIZ
Rev 1.0, Jan 25 th 2010
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PI5101-01-LGIZ | 制造商:Vicor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
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