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参数资料
| 型号： | PI5101-00-LGIZ |
| 厂商： | Vicor Corporation |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Picor®, µRDS(on)FET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 5V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 0.45 毫欧 @ 60A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800 mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-FLGA |
| 供应商设备封装： | 3-LGA（4.1x8） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1102-1078-5 |
?
Typical Characteristics: T A = 25°C unless otherwise Specified
1.4
1.2
1.0
I D = 1mA
100
T J = 150°C
T J = 25°C
0.8
0.6
0.4
10
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
T J , Junction Temperature [°C]
Figure 7: Gate Threshold Voltage vs. Temperature
1.00
V GS = 0V
0.10
V SD , Source-to-Drain Voltage [V]
Figure 10: Reverse Diode Forward Voltage
700
600
500
400
300
200
100
0.01
0
1
2
3
4
5
6
0
0
10
20
30
40
50
60
Drain-to-Source Voltage [V]
Figure 8: Drain-to-Source Leakage Current.
I D , Drain Current [A]
Figure 11: Forward Transconductance
1000
1.06
1.05
V GS = 0V
I D = 5mA
ms
0m
100
10
10
10
s
1m
s
1.04
1.03
1.02
1
R DS(on) Limit
Package Limit
DC
1.01
1.00
0.99
0.98
0.1
Thermal Limit
Single Pulse
V GS = 3.5V
0.97
0.96
0.01
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1 1
V DS , Drain-to-Source Voltage [V]
10
TJ - Junction Temperature [°C]
Figure 9: Maximum Safe Operation Area
Figure 12: Drain-to-Source Breakdown Voltage vs.
temperature.
Picor Corporation ? picorpower.com
PI5101-00-LGIZ
Rev 1.0, Jan 25 th 2010
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参数描述 |
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