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参数资料
| 型号： | PI5101-00-LGIZ |
| 厂商： | Vicor Corporation |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 5V 60A 3LGA |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | Picor®, µRDS(on)FET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 5V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 0.45 毫欧 @ 60A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800 mV @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 65nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-FLGA |
| 供应商设备封装： | 3-LGA（4.1x8） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 1102-1078-5 |
?
As a check, recalculate the junction temperature to
confirm the plot results. Start from the final junction
temperature, 126°C, and use the following steps:
R DS(on) is 450 μΩ maximum at 25°C and will increase as the
Junction temperature increases. From Figure 2, at 126°C
R DS(on) will increase by 24%, then R DS(on) maximum at 126°C
is:
150
140
130
126
120
110
100
R DS(on) =450 μΩ
R θ JA = 40°C/W
100°C
90°C
90
Maximum power dissipation is:
Maximum junction temperature is:
80
70
60
80°C
70°C
60°C
T A = 50°C
50
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
Drain Current [A]
Figure 18: Example graphing of MOSFET junction
temperature at I D =50A and T A =70°C
Picor Corporation ? picorpower.com
PI5101-00-LGIZ
Rev 1.0, Jan 25 th 2010
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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