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参数资料
| 型号： | PIC12LF1840-I/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 7/122页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU 7KB FLASH 256B RAM 8-DFN |
| 产品培训模块： | 8-bit PIC® Microcontroller Portfolio |
| 标准包装： | 120 |
| 系列： | PIC® XLP™ 12F |
| 核心处理器： | PIC |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 32MHz |
| 连通性： | I²C，LIN，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 5 |
| 程序存储器容量： | 7KB（4K x 14） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 256 x 8 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 管件 |
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PIC12(L)F1840
DS41441B-page 104
Preliminary
2011 Microchip Technology Inc.
EXAMPLE 11-4:
ERASING ONE ROW OF PROGRAM MEMORY
; This row erase routine assumes the following:
; 1. A valid address within the erase block is loaded in ADDRH:ADDRL
; 2. ADDRH and ADDRL are located in shared data memory 0x70 - 0x7F
BCF
INTCON,GIE
; Disable ints so required sequences will execute properly
BANKSEL
EEADRL
MOVF
ADDRL,W
; Load lower 8 bits of erase address boundary
MOVWF
EEADRL
MOVF
ADDRH,W
; Load upper 6 bits of erase address boundary
MOVWF
EEADRH
BSF
EECON1,EEPGD
; Point to program memory
BCF
EECON1,CFGS
; Not configuration space
BSF
EECON1,FREE
; Specify an erase operation
BSF
EECON1,WREN
; Enable writes
MOVLW
55h
; Start of required sequence to initiate erase
MOVWF
EECON2
; Write 55h
MOVLW
0AAh
;
MOVWF
EECON2
; Write AAh
BSF
EECON1,WR
; Set WR bit to begin erase
NOP
; Any instructions here are ignored as processor
; halts to begin erase sequence
NOP
; Processor will stop here and wait for erase complete.
; after erase processor continues with 3rd instruction
BCF
EECON1,WREN
; Disable writes
BSF
INTCON,GIE
; Enable interrupts
R
equired
S
equence
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