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参数资料
| 型号： | PM6670STR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 稳压器 |
| 英文描述： | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| 封装： | 4 X 4 MM, LEAD FREE, VFQFPN-24 |
| 文件页数： | 4/54页 |
| 文件大小： | 742K |
| 代理商： | PM6670STR |
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Electrical characteristics
PM6670S
12/54
Doc ID 14432 Rev 4
Symbol
Parameter
Test condition
Values
Unit
Min
Typ
Max
Soft end section
VDDQ discharge resistance
in non-tracking discharge
mode
15
25
35
Ω
VTT discharge resistance in
non-tracking discharge mode
15
25
35
VTTREF discharge
resistance in non-tracking
discharge mode
11.5
2
k
Ω
VDDQ output threshold
synchronous for final tracking
to non-tracking discharge
transition
0.2
0.4
0.6
V
VTT LDO section
ILDOIN,ON
LDO input bias current in
full-on state
S3 = S5 = +5 V, No load on VTT
1
10
μA
ILDOIN,
STR
LDO input bias current in
suspend-to-RAM state
S3 = 0 V, S5 = +5 V,
No Load on VTT
10
ILDOIN,
STD
LDO input bias current in
suspend-to-disk state
S3 = S5 = 0 V, No Load on VTT
1
IVTTSNS,
BIAS
VTTSNS bias current
S3 = +5 V, S5 = +5 V,
VVTTSNS = VVSNS /2
1
IVTTSNS,
LEAK
VTTSNS leakage current
S3 = 0 V, S5 = +5 V,
VVTTSNS = VVSNS /2
1
IVTT,LEAK VTT leakage current
S3 = 0 V, S5 = +5 V,
VVTT = VVSNS /2
-10
10
VVTT
LDO linear regulator output
voltage (DDR2)
S3 = S5= +5 V, IVTT = 0 A,
MODE = DDRSEL = +5 V
0.9
V
LDO linear regulator output
voltage (DDR3)
S3 = S5= +5 V, IVTT = 0 A,
MODE = +5 V, DDRSEL = 0 V
0.75
LDO output accuracy respect
to VTTREF
S3 = S5 = MODE = + 5 V,
-1 mA < IVTT < 1 mA
-20
20
mV
S3 = S5 = MODE = +5 V,
-1 A < IVTT < 1 A
-25
25
S3 = S5 = MODE = +5 V,
-2 A < IVTT < 2 A
-35
35
Table 6.
Electrical characteristics (continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM6670S | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670TR | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670ATR | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670 | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6675ASTR | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PM6670TR | 功能描述:直流/直流开关调节器 Complete DDR2/3 Mem Pwr supply controllr RoHS:否 制造商:International Rectifier 最大输入电压:21 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:0.5 V to 0.86 V 输出电流:4 A 输出端数量: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFN 4 x 5 |
| PM6675 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:LDO CNTRLR STDN 0.6V TO 3.3V/1.5V 24PIN VFQFPN - Rail/Tube |
| PM6675AS | 功能描述:DC/DC 开关控制器 DDR 2/3 Memory Pwr Cntrl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| PM6675ASTR | 功能描述:低压差控制器 - LDO Complete DDR2/3 Mem Pwr supply controllr RoHS:否 制造商:Micrel 最大输入电压:5.5 V 输出电压:Adjustable 输出电流:10 mA 负载调节: 输出类型:Adjustable, Fixed 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-6 |
| PM6675ATR | 功能描述:低压差控制器 - LDO High eff SD CNRL RoHS:否 制造商:Micrel 最大输入电压:5.5 V 输出电压:Adjustable 输出电流:10 mA 负载调节: 输出类型:Adjustable, Fixed 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-6 |
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