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参数资料
| 型号： | PM6670STR |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 稳压器 |
| 英文描述： | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| 封装： | 4 X 4 MM, LEAD FREE, VFQFPN-24 |
| 文件页数： | 41/54页 |
| 文件大小： | 742K |
| 代理商： | PM6670STR |
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Application information
PM6670S
46/54
Doc ID 14432 Rev 4
Tested low-side MOSFETs are listed in Table 17.
Dual N-MOS can be used in applications with lower output current.
shows some suitable dual MOSFETs for applications requiring about 3 A.
8.1.5
Diode selection
A rectifier across the synchronous switch is recommended. The rectifier works as a voltage
clamp across the synchronous rectifier and reduces the negative inductor swing during the
dead time between turning the high-side MOSFET off and the synchronous rectifier on.
Moreover it increases the efficiency of the system.
Choose a schottky diode as long as its forward voltage drop is very little (0.3 V). The reverse
voltage should be greater than the maximum input voltage VINmax and a minimum recovery
reverse charge is preferable. Table 19 shows some evaluated diodes.
Table 17.
Evaluated low-side MOSFETs
Manufacturer
Type
RDSon (mΩ)
CGD \ CGS
Rated reverse voltage (V)
ST
STS12NH3LL
13.5
0.069
30
ST
STS25NH3LL
4.0
0.011
30
IR
IRF7811
24
0.054
30
Table 18.
Suitable dual MOSFETs
Manufacturer
Type
RDSon (mΩ)
Gate charge (nC)
Rated reverse voltage (V)
ST
STS8DNH3LL
25
10
30
IR
IRF7313
46
33
30
Table 19.
Evaluated recirculation rectifiers
Manufacturer
Type
Forward
voltage (V)
Rated reverse
voltage (V)
Reverse current (
μA)
ST
STPS1L30M
0.34
30
0.00039
ST
STPS1L30A
0.34
30
0.00039
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PM6670S | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670TR | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670ATR | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6670 | 1.4 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
| PM6675ASTR | 3 A SWITCHING CONTROLLER, QCC24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PM6670TR | 功能描述:直流/直流开关调节器 Complete DDR2/3 Mem Pwr supply controllr RoHS:否 制造商:International Rectifier 最大输入电压:21 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:0.5 V to 0.86 V 输出电流:4 A 输出端数量: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFN 4 x 5 |
| PM6675 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:LDO CNTRLR STDN 0.6V TO 3.3V/1.5V 24PIN VFQFPN - Rail/Tube |
| PM6675AS | 功能描述:DC/DC 开关控制器 DDR 2/3 Memory Pwr Cntrl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
| PM6675ASTR | 功能描述:低压差控制器 - LDO Complete DDR2/3 Mem Pwr supply controllr RoHS:否 制造商:Micrel 最大输入电压:5.5 V 输出电压:Adjustable 输出电流:10 mA 负载调节: 输出类型:Adjustable, Fixed 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-6 |
| PM6675ATR | 功能描述:低压差控制器 - LDO High eff SD CNRL RoHS:否 制造商:Micrel 最大输入电压:5.5 V 输出电压:Adjustable 输出电流:10 mA 负载调节: 输出类型:Adjustable, Fixed 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-6 |
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