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参数资料
| 型号： | PMEG6030EP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 259K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F： | 360pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6530-6 |
   PMEG6030EP_1 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 21 January 2010 7 of 13 NXP Semiconductors PMEG6030EP 3 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier Tj = 150 °C (1) δ = 0.1 (2) δ = 0.2 (3) δ = 0.5 (4) δ = 1 Tj = 125 °C (1) δ = 1 (2) δ = 0.9 (3) δ = 0.8 (4) δ = 0.5 Fig 7. Average forward power dissipation as a function of average forward current; typical values Fig 8. Average reverse power dissipation as a function of reverse voltage; typical values FR4 PCB, standard footprint Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz Fig 9. Average forward current as a function of ambient temperature; typical values Fig 10. Average forward current as a function of ambient temperature; typical values IF(AV) (A) 0.0 5.01.0 2.0 3.0 4.0 006aab884 0.8 1.2 0.4 1.6 2.0 PF(AV) (W) 0.0 (1) (2) (3) (4) 006aab885 VR (V) 06020 40 1.0 1.5 0.5 2.0 2.5 PR(AV) (W) 0.0 (1) (2) (3) (4) Tamb ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab886 1.5 3.0 4.5 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) Tamb ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab887 1.5 3.0 4.5 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PMEG6030EVPX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG6030EVP/FLATPOWER/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOD128 |
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