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参数资料
型号： PMEG6030EP,115
厂商： NXP Semiconductors
文件页数： 12/13页
文件大小： 259K
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128
标准包装： 1
二极管类型： 肖特基
电压 - (Vr)（最大）： 60V
电流 - 平均整流 (Io)： 3A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 530mV @ 3A
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 200µA @ 60V
电容@ Vr, F： 360pF @ 1V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-128
供应商设备封装： SOD-128
包装： 标准包装
其它名称： 568-6530-6
PMEG6030EP_1
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 21 January 2010 8 of 13
NXP Semiconductors
PMEG6030EP
3 A low VF
MEGA Schottky barrier rectifier
Ceramic
PCB, Al2O3, standard footprint
Tj
=
150
°C
(1)
δ
=
1;
DC
(2)
δ
=
0.5; f
=
20
kHz
(3)
δ
=
0.2; f
=
20
kHz
(4)
δ
=
0.1; f
=
20
kHz
Tj
=
150
°C
(1)
δ
=
1;
DC
(2)
δ
=
0.5; f
=
20
kHz
(3)
δ
=
0.2; f
=
20
kHz
(4)
δ
=
0.1; f
=
20
kHz
Fig 11. Average forward current as a function of
ambient temperature; typical values
Fig 12. Average forward current as a function of
solder point temperature; typical values
Tamb
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab888
1.5
3.0
4.5
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
Tsp
(
°C)
0 50 100 150 17525
75
125
006aab889
1.5
3.0
4.5
IF(AV)
(A)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
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