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参数资料
| 型号： | PMEG6030EP,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 259K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 3A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 3A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 60V |
| 电容@ Vr, F： | 360pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-128 |
| 供应商设备封装： | SOD-128 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6530-6 |
   PMEG6030EP_1 ? NXP B.V. 2010. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 21 January 2010 4 of 13 NXP Semiconductors PMEG6030EP 3 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier FR4 PCB, standard footprint Fig 1. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values 006aab666 10 1 102 103 Zth(j-a) (K/W) 10?1 ?3 tp (s) 10 102 103 10 1 10?2 10?1 duty cycle = 1 0.75 0.5 0.33 0.2 0.25 0.1 0.05 0.02 0.01 0 006aab667 10 1 102 103 Zth(j-a) (K/W) 10?1 ?3 tp (s) 10 102 103 10 1 10?2 10?1 duty cycle = 1 0.75 0.5 0.33 0.2 0.25 0.1 0.05 0.02 0.01 0 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| PMEG6030ETPX | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PMEG6030ETP/FLATPOWER/REEL7// - Tape and Reel 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 30A SOD128 |
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