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参数资料
| 型号： | QSC113C6R0 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 8° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | T-1 |
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise speci?ed)
Symbol
T OPR
T STG
Parameter
Operating Temperature
Storage Temperature
Rating
-40 to +100
-40 to +100
Units
°C
°C
T SOL-I
Soldering Temperature
(Iron) (2,3,4)
240 for 5 sec
°C
T SOL-F
V CE
V EC
Soldering Temperature (Flow) (2,3)
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Collector Voltage
260 for 10 sec
30
5
°C
V
V
P D
Power
Dissipation (1)
100
mW
Notes:
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/°C above 25°C.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6mm) minimum from housing.
Electrical/Optical Characteristics (T A =25°C)
Symbol Parameter
λ PS
Peak Sensitivity Wavelength
Θ
Reception Angle
Test Conditions
Min.
Typ.
880
±4
Max. Units
nm
°
I CEO
BV CEO
BV ECO
Collector-Emitter Dark Current
Collector-Emitter Breakdown
Emitter-Collector Breakdown
V CE = 10 V, Ee = 0
I C = 1 mA
I E = 100 μA
30
5
100
nA
V
V
I C(ON)
On-State Collector Current QSC112
Ee = 0.5
mW/cm 2 , V CE
=
5 V (5)
1
4
mA
On-State Collector Current QSC113
On-State Collector Current QSC114
2.40
4.00
9.60
V CE(sat)
t r
t f
Saturation Voltage
Rise Time
Fall Time
Ee = 0.5 mW/cm 2 , I C = 0.5 mA (5)
V CC = 5 V, R L = 100 ? , I C = 2 mA
5.0
5.0
0.4
V
μs
Note:
5. λ = 880 nm, AlGaAs.
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSC112, QSC113, QSC114 Rev. 1.0.2
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD2030FA4R0 | PHOTODIODE DAYL FILTER 880NM 5MM |
| QSD2030 | PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM |
| QSE1103 | PHOTOSENSOR HS LOGIC SIDELOOKER |
| QSE114E3R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOKR |
| QSE122 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSC114 | 功能描述:光电晶体管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSC114 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOSWITCH ROHS COMPLIANT:NO |
| QSC114C | 功能描述:光电晶体管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSC133 | 功能描述:IC PHOTODARL IR 880NM BLACK 3MM RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| QSC15024S05 | 功能描述:DC-DC CONV, 150W QUARTER BRICK, 制造商:xp power 系列:QSC150 零件状态:在售 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:9V 电压 - 输入（最大值）:36V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电压 - 输出 4:- 电流 - 输出（最大值）:30A 功率（W）:150W 电压 - 隔离:2.25kV 应用:ITE（商业） 特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP，UVLO 工作温度:-40°C ~ 105°C 效率:92% 安装类型:通孔 封装/外壳:四分之一砖 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 供应商器件封装:四分之一砖 标准包装:1 |
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