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参数资料
| 型号： | QSC113C6R0 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 8° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | T-1 |
Typical Performance Curves
Figure 1. Light Current vs. Radiant Intensity
10 2
V CE = 5V
Figure 2. Angular Response Curve
GaAs Light Source
120 °
110 °
100 °
90 °
80 °
70 °
60 °
10
1
140 °
150 °
130 °
50 °
40 °
30 °
10 0
160 °
170 °
20 °
10 °
180 °
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 °
1.0
10
-1
0.1
E e - Radiant Intensity (mW/cm 2 )
1
10 1
Figure 3. Dark Current vs. Collector - Emitter Voltage
10 1
Figure 4. Light Current vs. Collector - Emitter Voltage
Ie = 1mW/cm 2
10 0
10 0
Ie = 0.5mW/cm 2
Ie = 0.2mW/cm 2
Ie = 0.1mW/cm 2
10 -1
10 -1
10 -2
Normalized to:
V CE = 5V
Ie = 0.5mW/cm 2
T A = 25 o C
10 -3
0
5
10
15
20
25
30
10 -2
0.1
1
10
V CE - Collector-Emitter Voltage (V)
Figure 5. Dark Current vs. Ambient Temperature
10 4
Normalized to:
V CE - Collector-Emitter Voltage (V)
10 3
V CE = 25V
o
T A = 25 C
V CE = 25V
V CE = 10V
10 2
10 1
10 0
10 -1
25
50
75
100
T A - Ambient Temperature ( C )
o
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSC112, QSC113, QSC114 Rev. 1.0.2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD2030FA4R0 | PHOTODIODE DAYL FILTER 880NM 5MM |
| QSD2030 | PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM |
| QSE1103 | PHOTOSENSOR HS LOGIC SIDELOOKER |
| QSE114E3R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOKR |
| QSE122 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSC114 | 功能描述:光电晶体管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSC114 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:OPTOSWITCH ROHS COMPLIANT:NO |
| QSC114C | 功能描述:光电晶体管 4mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSC133 | 功能描述:IC PHOTODARL IR 880NM BLACK 3MM RoHS:是 类别:传感器，转换器 >> 光学 - 光电检测器 - 光电晶体管 系列:* 标准包装:1,200 系列:- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1mA 电流 - 暗 (Id)（最大）:100nA 波长:880nm 视角:24° 功率 - 最大:100mW 安装类型:通孔 方向:顶视图 封装/外壳:径向 |
| QSC15024S05 | 功能描述:DC-DC CONV, 150W QUARTER BRICK, 制造商:xp power 系列:QSC150 零件状态:在售 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:9V 电压 - 输入（最大值）:36V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电压 - 输出 4:- 电流 - 输出（最大值）:30A 功率（W）:150W 电压 - 隔离:2.25kV 应用:ITE（商业） 特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP，UVLO 工作温度:-40°C ~ 105°C 效率:92% 安装类型:通孔 封装/外壳:四分之一砖 大小/尺寸:2.28" 长 x 1.45" 宽 x 0.50" 高（57.9mm x 36.8mm x 12.7mm） 供应商器件封装:四分之一砖 标准包装:1 |
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