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参数资料
| 型号： | R5F5630ADDFP#V0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 63/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MCU RX630 768KB FLASH 100-LQFP |
| 产品培训模块： | RX Compare Match Timer RX DMAC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | RX600 |
| 核心处理器： | RX |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 100MHz |
| 连通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
| 外围设备： | DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 78 |
| 程序存储器容量： | 768KB（768K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 96K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b，14x12b，D/A 1x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 包装： | 托盘 |
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R01DS0060EJ0100 Rev.1.00
Page 155 of 168
Sep 13, 2011
RX630 Group
5. Electrical Characteristics
5.13
E2 Flash Characteristics
Note 1. Definition of reprogram/erase cycle:
The reprogram/erase cycle is the number of erasing for each block. When the reprogram/erase cycle is n times (n = 100000),
erasing can be performed n times for each block. For instance, when 128-byte programming is performed 16 times for different
addresses in 2-Kbyte block and then the entire block is erased, the reprogram/erase cycle is counted as one. However,
programming the same address for several times as one erasing is not enabled (over writing is prohibited).
Note 2. This indicates the minimum number that guarantees the characteristics after reprogramming. (The guaranteed value is in the
range from one to the minimum number.)
Note 3. This indicates the characteristic when reprogram is performed within the specification range including the minimum number.
Table 5.30
E2 Flash Characteristics
Conditions: VCC = AVCC0 = VCC_USB = 2.7 to 3.6 V, VREFH/VREFH0 = 2.7 V to AVCC0
VSS = AVSS0 = VREFL/VREFL0 = VSS_USB = 0 V
Temperature range for the programming/erasure operation: Ta = Topr
Item
Symbol
FCLK = 4 MHz
20 MHz
≤ FCLK ≤ 50 MHz
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
Programming time
NPEC 100 hours
2 bytes
tDP2
—
0.7
6
—
0.25
2
ms
Programming time
NPEC > 100 hours
2 bytes
tDP2
—
0.7
6
—
0.25
2
ms
Erasure time
NPEC 100 hours
32 bytes
tDE32
—4
40
—2
20
ms
Erasure time
NPEC > 100 hours
32 bytes
tDE32
—7
40
—4
20
ms
Blank check time
2 bytes
tDBC2
—
100
—
30
μs
Reprogram/erase cycle*1
NDPEC
100000*2
—
100000*2
——
Times
Suspend delay time during programming
tDSPD
—
250
—
120
μs
First suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tDSESD1
—
250
—
120
μs
Second suspend delay time during erasing
(in suspend priority mode)
tDSESD2
—
500
—
300
μs
Suspend delay time during erasing
(in erasure priority mode)
tDSEED
—
500
—
300
μs
Data hold time*3
tDDRP
10
—
10
—
Year
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PDF描述 |
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参数描述 |
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