参数资料
型号: R6006ANX
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 欧姆 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装
R6006ANX
l Dimensions (Unit : mm)
Data Sheet
TO-220FM
D
A
E
E1
φ p
b1
Q
e
c
b
x
A
DIM
A
A1
A2
A4
b
b1
c
D
E
e
E1
F
L
p
Q
MILIMETERS
MIN MAX
16.60 17.60
1.80 2.20
14.80 15.40
6.80 7.20
0.70 0.85
1.10 1.50
0.70 0.85
9.90 10.30
4.40 4.80
2.54
2.70 3.00
2.80 3.20
11.50 12.50
3.00 3.40
2.10 3.10
MIN
0.654
0.071
0.583
0.268
0.028
0.043
0.028
0.39
0.173
0.106
0.11
0.453
0.118
0.083
INCHES
0.10
MAX
0.693
0.087
0.606
0.283
0.033
0.059
0.033
0.406
0.189
0.118
0.126
0.492
0.134
0.122
x
-
0.381
-
0.015
Dimension in mm/inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.B
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PDF描述
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参数描述
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