参数资料
型号: R6006ANX
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 欧姆 @ 3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 520pF @ 25V
功率 - 最大: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装
R6006ANX
l Electrical characteristic curves
Fig.7 Typical Output Characteristics(I)
Data Sheet
Fig.8 Typical Output Characteristics(II)
6
5
4
3
10.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
T a = 25oC
Pulsed
5.5V
5
4
3
T a = 25oC
Pulsed
10.0V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
5.5V
2
1
5.0V
V GS = 4.5V
2
1
5.0V
V GS = 4.5V
0
0
5
10
15
20
0
0
1
2
3
4
5
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.9 T j = 150 ° C Typical Output
Characteristics(I)
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Fig.10 T j = 150 ° C Typical Output
Characteristics(II)
6
5
T a = 150oC
Pulsed
10V
8.0V
7.0V
6.5V
6.0V
3
T a = 150oC
Pulsed
10V
4
3
2
1
5.5V
V GS = 4.5V
2
1
6.5V
5.5V
V GS = 4.5V
0
0
5
10
15
20
0
0
1
2
3
4
5
Drain - Source Voltage : V DS [V]
Drain - Source Voltage : V DS [V]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.B
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PDF描述
R6008ANX MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
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参数描述
R6006ANX_12 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 6A Power MOSFET
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R6007 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 4.330 " x 984 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink