- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > R6006ANX (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | R6006ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6006ANX
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
120
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
100
100
80
60
40
10
1
0.1
Operation in this
area is limited
by R DS(ON)
P W = 100us
P W = 1ms
P W = 10ms
20
0
0
50
100
150
200
0.01
T a = 25oC
Single Pulse
0.1 1
10
100
1000
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
1000
Drain - Source Voltage : V DS [V]
100
10
1
0.1
T a = 25oC
Single Pulse
R th(ch-a)(t) = r (t) × Rth(ch-a)
Rth(ch-a) = 70oC/W
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.01
1
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
D = Single
100
Pulse Width : PW [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/13
2012.01 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6008ANX | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| R6010ANX | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6006ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 6A Power MOSFET |
| R6006HF | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| R6006HV | 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 1.570 " x 984 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink |
| R6006PC | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| R6007 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 4.330 " x 984 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。