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参数资料
| 型号： | RB520S30,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 244K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 20pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8470-6 |
 RB520S30_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 7 of 12 NXP Semiconductors RB520S30 200 mA low VF MEGA Schottky barrier recti?er 8. Test information FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2 Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz Tj = 150 °C (1) δ = 1; DC (2) δ = 0.5; f = 20 kHz (3) δ = 0.2; f = 20 kHz (4) δ = 0.1; f = 20 kHz Fig 9. Average forward current as a function of ambient temperature; typical values Fig 10. Average forward current as a function of solder point temperature; typical values Tamb ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab708 0.1 0.2 0.3 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) Tsp ( °C) 0 50 100 150 17525 75 125 006aab709 0.1 0.2 0.3 IF(AV) (A) 0.0 (1) (2) (3) (4) (1) IR =1mA Input signal: reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty cycle δ = 0.05 Oscilloscope: rise time tr = 0.35 ns Fig 11. Reverse recovery time test circuit and waveforms trr (1) + I F t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF ′ RS RS = 50 W IF D.U.T. Ri = 50 W SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB520S-30FTE61 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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