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参数资料
| 型号： | RB520S30,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 244K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 20pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8470-6 |
 RB520S30_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 2 of 12 NXP Semiconductors RB520S30 200 mA low VF MEGA Schottky barrier recti?er 2. Pinning information [1] The marking bar indicates the cathode. 3. Ordering information 4. Marking 5. Limiting values Table 2. Pinning Pin Description Simpli?ed outline Graphic symbol 1 cathode [1] 2 anode 2 1 sym001 12 Table 3. Ordering information Type number Package Name Description Version RB520S30 SC-79 plastic surface-mounted package; 2 leads SOD523 Table 4. Marking codes Type number Marking code RB520S30 ZA Table 5. Limiting values In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit VR reverse voltage Tj=25°C - 30 V IF(AV) average forward current square wave; δ = 0.5; f=20kHz Tamb ≤ 105 °C [1] - 0.2 A Tsp ≤ 135 °C - 0.2 A IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8.3 ms half sine wave; JEDEC method [2] -1A Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C [3][4] - 275 mW [3][1] - 420 mW [3][5] - 500 mW |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB520S30T1 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| RB520S30 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F |
| RB520ZS-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2GMD |
| RB521CS-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2VMN |
| RB521G-30T2R | DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2VMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| RB520S-30C2 | 制造商:CYSTEKEC 制造商全称:Cystech Electonics Corp. 功能描述:Small Signal Schottky diode |
| RB520S30-CC2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| RB520S30-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:RB5 Series 200 mA 30 V Low Forward Voltage Drop Schottky Diode - SOD-523F-2 |
| RB520S-30FJTE61 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DIODE SMD RB520S-30 EMD2 |
| RB520S-30FTE61 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
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