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参数资料
| 型号： | RB520S30,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 244K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 10V |
| 电容@ Vr, F： | 20pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-79，SOD-523 |
| 供应商设备封装： | SOD-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-8470-6 |
 RB520S30_1 ? NXP B.V. 2009. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 5 of 12 NXP Semiconductors RB520S30 200 mA low VF MEGA Schottky barrier recti?er 7. Characteristics [1] Pulse test: tp ≤ 300 μs; δ≤0.02. Table 7. Characteristics Tj =25°C unless otherwise speci?ed. Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VF forward voltage [1] IF= 0.1 mA - 190 220 mV IF= 1 mA - 250 290 mV IF= 10 mA - 320 360 mV IF= 100 mA - 440 500 mV IF= 200 mA - 520 600 mV IR reverse current VR=10V --1μA Cd diode capacitancef = 1 MHz; VR=1V - - 20 pF (1) Tj = 150 °C (2) Tj = 125 °C (3) Tj =85°C (4) Tj=25°C (5) Tj=?40°C (1) Tj= 125°C (2) Tj=85°C (3) Tj=25°C (4) Tj=?40°C Fig 3. Forward current as a function of forward voltage; typical values Fig 4. Reverse current as a function of reverse voltage; typical values 006aab702 10?3 10?2 10?1 1 IF (A) 10?4 VF (V) 0.0 0.80.2 0.4 0.6 (1) (2) (3) (4) (5) 006aab703 VR (V) 03010 20 10?6 10?8 10?7 10?4 10?5 10?3 IR (A) 10?9 (1) (2) (3) (4) |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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