参数资料
型号: RB520S30,115
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 7/12页
文件大小: 244K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
标准包装: 1
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 30V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 600mV @ 200mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 10V
电容@ Vr, F: 20pF @ 1V,1MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-79,SOD-523
供应商设备封装: SOD-523
包装: 标准包装
其它名称: 568-8470-6
RB520S30_1
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 01 — 6 October 2009 4 of 12
NXP Semiconductors
RB520S30
200 mA low VF
MEGA Schottky barrier recti?er
FR4 PCB, standard footprint
Fig 1. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
FR4 PCB, mounting pad for cathode 1 cm2
Fig 2. Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration; typical values
006aab700
1
10?5
10
10?2
10?4
102
10?1
tp
(s)
10?3
103
1
102
10
103
Zth(j-a)
(K/W)
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.25
0.1
0.05
0.02
0.01
0
006aab701
1
10?5
10
10?2
10?4
102
10?1
tp
(s)
10?3
103
1
102
10
103
Zth(j-a)
(K/W)
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.25
0.1
0.05
0.02
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