参数资料
型号: RB541XNTR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/5页
文件大小: 527K
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 0.1A EMD3
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 530mV @ 100mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 10µA @ 10V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 100mA
电压 - (Vr)(最大): 30V
二极管类型: 肖特基
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: UMD6
包装: 标准包装
其它名称: RB541XNTRDKR
RB541XNTRDKR-ND
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB541XN
 
250
260
270
280
290
300
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
100
200
300
400
500
600
FORWARD VOLTAGE:VF(mV)
VF-IF
CHARACTERISTICS
FORWARD CURRENT:I
F
(mA)
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=-25°C
Ta=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0
10
20
30
REVERSE CURRENT:I
R
(
m
A)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-IR
CHARACTERISTICS
Ta=125°C
Ta=25°C
Ta=75°C
Ta=-25°C
1
10
100
0
5
10
15
20
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
REVERSE VOLTAGE:VR(V)
VR-Ct CHARACTERISTICS
f=1MHz
VF
DISPERSION MAP
FORWARD VOLTAGE:V
F
(mV)
AVE:270.2mV
Ta=25°C
IF=10mA
n=30pcs
0
5
10
15
20
25
30
REVERSE CURRENT:V
R
(
m
A)
IR
DISPERSION MAP
Ta=25°C
VR=10V
n=30pcs
AVE:2.037mA
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
AVE:17.34pF
Ta=25°C
f=1MHz
VR=0V
n=10pcs
CAPACITANCE BETWEEN
TERMINALS:Ct(pF)
Ct DISPERSION MAP
2/4
2011.11
- Rev.A
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