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参数资料
| 型号： | RB541XNTR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 527K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 30V 0.1A EMD3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 530mV @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 30V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | UMD6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | RB541XNTRDKR RB541XNTRDKR-ND |
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Data Sheet
RB541XN
0
5
10
15
20
AVE:3.90A
8.3ms
IFSM
1cyc
IFSM
DISPERSION MAP
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
0
2
4
6
8
10
12
14
Ta=25°C
IF=IR=100mA
Irr=0.1IR
trr DISPERSION MAP
REVERSE RECOVERY TIME:trr(ns)
AVE:13.0ns
0
5
10
1
10
100
8.3ms
IFSM
1cyc
8.3ms
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
NUMBER OF CYCLES
IFSM-CYCLE CHARACTERISTICS
0
5
10
1
10
100
t
IFSM
PEAK SURGE
FORWARD CURRENT:I
FSM
(A)
TIME:t(ms)
IFSM-t CHARACTERISTICS
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Rth(j-a)
Rth(j-c)
On glass-epoxy substrate
TIME:(s)
Rth-t CHARACTERISTICS
TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE:Rth (
°
C
/W)
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
0.05
0.1
0.15
0.2
D.C.
D=1/2
Sin(θ＝180)
FORWARD POWER
DISSIPATION:Pf(W)
AVERAGE RECTIFIED
FORWARD CURRENT：Io(A)
Io-Pｆ
CHARACTERISTICS
3/4
2011.11
- Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RB548WTL | DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 3EMD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| RB5480-1-100K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Power Choke |
| RB5480-1-101K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Power Choke |
| RB5480-1-102K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Power Choke |
| RB5480-1-103K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Power Choke |
| RB5480-1-120K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Radial Power Choke |
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